ZHN/SEM - наноиндентор для растровых электронных микроскопов

Области применения

Определение твердости по ISO 14577
Динамические испытания

Испытательный груз

0 - 0,2 Н

Область применения

Исследования и разработки (в РЭМ)

Мал да удал

Наноиндентор ZHN/SEM для установки в растровый электронный микроскоп (РЭМ) позволяет проводить микромеханические эксперименты при одновременном наблюдении образца с наивысшим разрешением. Он предлагает наибольший доступный в настоящий момент диапазон измерения с максимальным измерением перемещения в 200 µм и максимальным усилием 200 мН при одновременно очень низким шумом датчиков усилия и перемещения в окружении с низким уровнем вибрации. Его жесткость так высока, что можно без затруднений проводить традиционные измерения твердости.

Стандартная система разработана для инсталляции на столы различных РЭМ, однако также ее можно устанавливать на стенку камеры. Это позволяет использовать существующие возможности отклонения и смещения стола РЭМ.

Система состоит из:

измерительной головки с датчиками и приводом
пьезо-стола для перемещения образца в направлении XY и вращения вокруг оси индентора (опция)
жесткого механического Z-стола для перемещения измерительной головки к образцу
ПК и контроллера
простого в управлении и очень гибкого ПО
одного или двух фланцев с отверстиями (спецификация РЭМ)

Преимущества и признаки

Индентор можно адаптировать к широкому диапазону пожеланий заказчиков.
Управление усилием и перемещением возможно в закрытом или открытом контуре регулирования.
Динамический метод измерения с частотами до 100 Гц для усталостных и непрерывных измерений жесткости доступен в качестве опции.
Особым признаком измерительной головки является возможность ее использования в направлении сжатия и растяжения по всему диапазону измерения.
Синхронизация видеосъемки: возможна реализация с изображением посредством передачи данных через TCP-IP в дополнительное окно на ПК РЭМ.

Технический обзор

Описание	Значение
Арт.-№	1020054
Тип	ZHN/SEM
Усилие испытания, макс. (Fmax)	ок. 200	мН¹
Смещение, макс.	ок. 200 μм при 20 мН; ок. 1500 μм при 200 мН
Разрешение усилия, цифровое	≤ 0,02	μН
Разрешение перемещения, цифровое	≤ 0,001	нм
Уровень шумов силоизмерения (RMS)	≤ 0,5	μН
Уровень шумов измерения перемещения (RMS)	≤ 0,5	нм
Координатный стол
X- и Y-стол: диапазон перемещения (стандарт)	21 x 12	мм
X- и Y-стол: точность позиционирования	≤ 50	нм
X- и Y-стол: разрешение системы измерения	1	нм
Z-стол: диапазон перемещения	15 (опционально 25)	мм
Z-стол: точность позиционирования	≤ 0,1	μм
Z-стол: разрешение системы измерения	50	нм

растяжение и сжатие

Есть вопросы относительно продукции?

Свяжитесь с нашими экспертами.
Мы с удовольствием Вас проконсультируем!

Связаться сейчас

Примеры использования прибора ZHN/SEM

Адаптация наноиндентора к растровому электронному микроскопу

Изготовление соответствующих адаптеров и вариантов регулировки, а также электрических вводов осуществляется исключительно по Вашей спецификации!

Испытание медных монокристаллов на сжатие

РЭМ-изображения [1 0 0] медных стержней сечением 2 x 2 μм, сняты в нужном месте после (a) сжатия 3,3 % (b) сжатия 13,4 % (c) сжатия 23,4 % (d) разгруженного образца с отмеченной начальной ориентацией кристалла и активными плоскостями скольжения. © Dr. C. Motz, Universität des Saarlandes, Германия

Эксперименты по вязкости разрушения вольфрама

Балка нагружается в нужном месте индентором Cube Corner. Скорость нагружения и разгружения составляла 1 мм/мин для всех образцов. Стабильный рост трещины наблюдался у всех образцов. © Dr. Wurster, ESI Leoben, Австрия

Определение зависимой от размера пластичности кристалла

РЭМ-изображения образца во время испытания на растяжение (a–e) и после разгружения (f). Соответствующие позиции в пределах кривой напряжения-деформации обозначены в графике. Второй этап разгружения и нагружения отмечен стрелками. © Dr. Kiener , ESI Leoben, Австрия